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BB1L3N


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC 0.7A
hFE -
Ptot 750mW
fT -
TJ -
der BB1L3N ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe 10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BB1L3N
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:-
BB1L3N Datenblatt (jpg):-
BB1L3N Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑BP1L3N
Ähnliche Typen:-
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BB1L3N


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC 0.7A
hFE -
Ptot 750mW
fT -
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der BB1L3N ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
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IC 0.7A
hFE -
Ptot 750mW
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Komplementär Typ: ↑BP1L3N
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BP1L3N


SI PNP Transistor
Komplementär Typ zu BB1L3N
GFX
UCE/UCB -25/-25V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 750mW
fT -
TJ -
der BP1L3N ist ein komplementärer Silizium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: BP1L3N
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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BP1L3N Datenblatt (jpg):-
BP1L3N Datenblatt (pdf):-
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Komplementär Typ: ↑-
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SI PNP Transistor
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GFX
UCE/UCB -25/-25V
IC -0.7A
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der BP1L3N ist ein komplementärer Silizium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Komplementärtyp: BP1L3N
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GFX
UCE/UCB -25/-25V
IC -0.7A
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der BP1L3N ist ein komplementärer Silizium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Komplementärtyp: BP1L3N
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